拓荆科技 688072

报告期内,公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇,充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势,以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀,坚持自主创新,构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵,并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。

同时,持续强化公司运营管理,促进公司高质量、稳健、快速的发展,在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果,进一步促进公司综合实力的提升。

1、主要经营情况报告期内,依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产,公司在先进制程领域核心竞争力显著提升,业务规模实现大幅增长。

2025年度,公司实现营业收入651,909.49万元,同比增长58.87%；实现归属于上市公司股东的净利润92,670.40万元,同比增长34.67%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润72,314.69万元,同比增长103.05%。

截至2025年12月31日,公司总资产1,982,356.69万元,较2024年年末增长29.45%；归属于上市公司股东的净资产660,995.72万元,较2024年年末增长25.18%。

公司资产质量良好,财务状况稳健。

2、公司产品研发及产业化进展情况报告期内,公司不断丰富和完善薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵和覆盖面。

通过持续自主创新和高强度研发投入,保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势,薄膜沉积设备和三维集成设备已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。

报告期内,公司先进制程领域的核心竞争力显著提升,业务规模实现大幅增长。

报告期内的研发投入金额达到85,927.42万元,同比增长13.66%。

在薄膜沉积设备方面,公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积技术深耕拓展和迭代升级,积极覆盖先进制程领域对先进薄膜工艺的需求,定制化开发不同类型的高产能平台和反应腔,目前在先进存储、先进逻辑领域应用的量产规模不断扩大。

报告期内,基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM以及PECVDBianca等先进工艺设备已实现产业化放量,Lok-II、OPN、SiB等先进工艺设备已通过客户验证,持续获得客户复购订单；公司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺的覆盖,且这些工艺在先进制程中应用广泛,公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商；公司ALD设备在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升,其中,PE-ALD多款SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量,Thermal-ALD在持续拓展新工艺,并陆续获得订单、出货,其中首台TiN工艺产品已通过客户验证,截至报告期末,公司ALD设备累计出货超过140个反应腔；SACVD和HDPCVD等沟槽填充产品不断扩大量产规模,首台SACVD等离子体增强SAF薄膜工艺设备通过客户验证。

截至报告期末,公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片等领域中所需的约100多种工艺应用。

在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面,报告期内,公司持续拓展客户群体,晶圆对晶圆混合键合设备获得客户复购订单并实现量产应用,同时拓展应用至不同客户并通过验证；公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证,产能、键合精度等关键指标大幅提升；首台晶圆对晶圆熔融键合设备通过客户验证。

目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑、图像传感器等多个领域应用,公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

随着芯片技术的迭代升级,公司先进产品量产规模不断攀升,截至本报告期末,公司累计出货超过3,400个反应腔（包括超过400个新型反应腔pX和Supra-D）,进入约100条生产线。

公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异,平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。

公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大,截至本报告期末,公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破4.57亿片,2025年单年的累计流片量突破2.1亿片。

公司薄膜沉积设备累计流片量（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况公司自成立就开始研制PECVD设备,在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验,并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备,主要包括PECVD产品和UVCure产品：1PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品,已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖,通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。

报告期内,公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势,获得客户复购和批量订单,不断扩大量产规模。

报告期内,公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备且均通过客户验证,并持续获得订单,为存储领域顶部选择栅极和硬掩膜工艺提供解决方案。

此外,公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片需求,不断深耕拓展新工艺、新产品,研发高温至低温不同温度范围的多种先进薄膜,已陆续在客户端实现量产应用,满足客户不同的高标准需求。

公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备已实现产业化放量,持续获得客户复购订单。

该等产品满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。

截至本报告期末,对应前述设备已累计超过400个反应腔出货至客户端。

同时,公司PECVDBianca工艺设备也实现了产业化放量,同时持续获得客户复购订单,该设备为晶圆背面薄膜沉积设备,主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。

该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积,减少集成电路制造的工艺步骤,降低客户成本。

截至报告期末,累计超过80个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端,量产规模不断扩大。

公司NF-300H型号是高产能PECVD设备,可以搭载3个6站反应腔,每次可以同时最多处理18片晶圆。

该设备已实现产业化应用,可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜,在存储芯片制造、三维集成等领域具有广泛应用前景,报告期内持续出货并扩大量产规模。

公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H,可以搭载4个6站反应腔,每次可以同时最多处理24片晶圆。

截至本报告期末,NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造,进行工艺优化及多重验证。

该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜,实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺,满足先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。

②UVCure产品UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品,与PECVD设备成套使用,为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。

公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用,报告期内持续获得客户的订单、出货,扩大量产应用规模。

（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况①PE-ALD产品报告期内,公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升,目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。

基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订单并出货,在客户端验证进展顺利,该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移,以及先进封装TSV隔离层等,具有优异的片内均匀性等关键指标。

②Thermal-ALD产品公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用,目前可以覆盖Al2O3、AlN、TiN、TiON等金属及金属化合物等先进薄膜材料应用。

报告期内,公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺,并陆续获得订单、出货,其中TiN工艺产品已通过客户验证,目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户。

此外,公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺,前瞻性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。

（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势,推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备首台通过客户验证,满足先进存储领域应用需求,同时,持续获得客户订单并出货,进一步扩大量产应用规模。

截至报告期末,公司SACVD系列产品已出货累计超过150个反应腔。

（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司HDPCVD持续获得客户订单并出货,不断扩大量产规模。

截至报告期末,公司HDPCVDUSG、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化,并持续扩大量产规模,截至报告期末,公司HDPCVD系列产品已出货累计超过120个反应腔。

（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证,实现了产业化应用。

报告期内,公司持续获得订单并出货,凭借优异的性能表现,被客户选定为POR（基准工艺）机台。

（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况报告期内,公司持续拓展应用于三维集成设备,包括先进键合产品及配套的量检测产品,主①晶圆对晶圆混合键合产品公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品,已实现产业化,可实现百纳米级晶圆混合键合,其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。

报告期内,该产品持续拓展客户群体,获得客户复购订单并出货,覆盖了先进存储、先进逻辑等应用领域,量产规模快速提升。

报告期内,公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX,该产品采用更先进的对准技术,拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能,可达到国际同类产品最先进水平,目前已出货至客户端验证,验证进展顺利。

②晶圆对晶圆熔融键合产品公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX,可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合,具备优异的产能表现,报告期内,该产品已完成先进逻辑领域客户的验证。

③芯片对晶圆键合前表面预处理产品公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化,可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗,具备高产能的特点。

报告期内,该产品持续获得客户重复订单。

④芯片对晶圆混合键合产品公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione,可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上,精度可达百纳米级,具有高精度、高产能、低污染的特点。

截至本报告期末,该产品正在客户端进行验证,同时进一步提升其量产性能指标。

⑤键合套准精度量测产品公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测,具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点,并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。

该产品已通过客户验证,实现产业化应用。

⑥键合强度检测产品公司根据客户需求,研制了键合强度检测产品Ascella300,可以实现晶圆键合后的强度检测。

该产品已通过客户验证,实现产业化应用。

⑦永久键合后晶圆激光剥离产品报告期内,公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品的研制。

该产品可以实现永久键合后晶圆剥离,晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题,帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。

3、供应链保障方面在供应链建设方面,公司建立了完善的供应链管理体系,吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源,关键零部件采用“多源采购”模式,并与核心供应商建立长期战略合作关系,确保关键部件的及时稳定供应。

在此基础上,公司与供应商构建了协同创新机制,在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作,确保部件产品性能达到公司先进需求,形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。

这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。

报告期内,公司上游供应链总体保持稳定,有效保障设备生产并及时交付。

4、市场销售情况报告期内,公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场,凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势,不断提升产品综合竞争力,在客户群体的拓展方面取得显著成效,成功导入多家新客户,并获得海外客户订单,公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。

截至报告期末,公司在手订单饱满。

公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成设备新工艺、新产品,同时,公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系,根据客户不同需求,提供高度定制化、高性能的设备产品,以及全方位、高质量的售后服务。

同时,公司深入了解行业前沿需求,为产品研发和创新提供方向指引,为公司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。

5、人才队伍建设情况报告期内,公司结合战略规划与业务发展目标,持续加强人才梯队建设,致力于打造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。

截至2025年12月31日,公司员工总数1,696人,其中研发人员726人,占公司员工总数的42.81%。

公司构建完善的人才引育留用体系。

在人才引进方面,通过校企合作、校园招聘、赛事合作等方式吸纳优秀毕业生,借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。

在人才培养方面,搭建多维培训体系,覆盖技术、管理等多方面,支持员工学历与能力提升,依托博士后基地深化产学研合作,培育复合型人才。

同时,开展员工关怀活动,定期评优表彰,强化激励与归属感,为企业持续发展提供坚实人才支撑。

报告期内,公司实施了2025年限制性股票激励计划,向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。

截至本报告披露日,公司已实施2022年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及2025年限制性股票激励计划,上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定,助力公司长远发展。

6、营运管理方面报告期内,公司智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力等方面,开展针对性优化升级。

在用户体验优化方面,优化交互逻辑与系统性能,实现了用户体验与运行效率的双重提升；在功能方面,结合先进的算法优化深入探索系统模型,形成完整的分析流程与结果呈现机制。

公司智能化MES系统（生产管理系统）进行了数十项的功能优化与提升,实现“系统服务于人、人员遵守系统规则”的双向管控,使员工在作业中更加标准规范,所有操作均可被记录、追溯与持续优化。

公司持续完善产品质量管理体系,致力于为客户提供稳定、可靠的产品与服务。

报告期内,公司全面质量管理体系（TQM）实现全流程落地运行,覆盖研发、供应链、制造及服务全链条,有效保障产品质量目标达成。

在EHS（环境、健康、安全）方面,公司进一步完善绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理,保障生产的合规性与安全性。

同时,公司积极推进信息安全管理,报告期内,新增公司和拓荆创益的ISO/EC27001:2022信息安全管理体系认证,进一步规范信息资产管理、数据使用管理等流程,夯实数据安全与客户隐私保护的治理基础。

7、募投项目建设进展情况①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”（以下简称“上海二厂”）是在上海临港新片区建设研发与产业化基地,总建筑面积约9万平方米,用于先进ALD设备及工艺的研发,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。

报告期内,该产业化基地已投入使用,本募投项目已结项。

上海二厂效果图2高端半导体设备产业化基地建设项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地,规划总建筑面积超15万平方米,规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进测试实验室等,并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施,致力于打造集规模化、智能化、数字化于一体的高端半导体设备产业化基地。

截至报告期末,沈阳二厂已开始施工建设,进展顺利。

注：上图为规划效果图8、对外投资情况报告期内,公司结合发展战略规划,进一步完善业务发展布局,提升公司的综合竞争力,开展了以下对外投资事项：（1）投资设立控股子公司/向控股子公司增资报告期内,公司控股子公司拓荆键科为进一步加强三维集成领域产业布局,开展了新一轮融资,融资金额为人民币103,950.00万元,其中,公司以经评估后的债权和自有资金合计人民币45,000.00万元认缴拓荆键科新增注册资本,本次交易完成后,公司对拓荆键科的持股比例为53.5719%,并合计控制拓荆键科约76.9188%的表决权,拓荆键科仍为公司合并报表范围内的控股子公司。

报告期内,公司设立了控股子公司拓荆青岛,积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球,为公司进一步拓展海外业务奠定基础。

（2）积极开展产业投资报告期内,公司开展了对原子启智、芯丰精密的股权投资,围绕原子层刻蚀、三维集成等领域的产业链进行横向布局,本次投资系围绕产业趋势和公司战略目标的产业投资,有助于公司业务的深度拓展,实现资源的高效整合与优化配置,进一步提升公司整体的市场竞争力,符合公司主营业务及战略发展方向。

截至本报告期末,公司及子公司已直接/间接累计投资19家企业,覆盖多个半导体设备产业链领域,强化产业链协同效应,提升整体业务竞争力。

9、公司治理情况报告期内,公司共召开股东会6次、董事会9次、董事会审计委员会7次、董事会薪酬与考核委员会5次、提名委员会1次、战略规划委员会2次及独立董事专门会议5次,所有审议议案均100%获得通过。

公司严格遵循《公司法》《证券法》等法律法规要求,根据监管导向及时制定和修订相关公司治理制度28项,持续优化决策程序与内控机制。

通过不断健全法人治理结构、完善内部控制制度建设,公司经营管理决策的科学性、合理性与合规性进一步增强,规范运作水平持续提升。

报告期内,公司治理体系运行高效、风险管控扎实有力,为业务稳健发展及战略目标实现提供了坚实保障。

10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作,严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。

公司认真履行信息披露义务,确保信息披露及时、真实、准确和完整。

公司连续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级,2025年度获得中国证券报2024年度上市公司金牛奖“金信披奖”。

公司高度重视投资者关系管理相关工作,通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通,促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系,实现公司价值和投资者利益的最大化。

报告期内,公司召开6次业绩说明会/投资者交流会。

报告期内,公司获得中国上市公司协会颁发的“2024年投资者关系管理最佳实践奖”。

公司高度重视内幕交易防范工作,做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。

对公司董事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育,敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定。

(一)行业格局和趋势在人工智能（AI）浪潮的助推下,以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展,拉动半导体行业规模迅速扩大。

作为晶圆厂建设的核心投资环节,半导体设备在产线资本开支中占据主导地位,新建晶圆厂约86%投资用于购置晶圆制造相关设备,其中薄膜沉积设备约占晶圆制造设备总投资的22%,是集成电路前道制造的关键装备,直接决定芯片制程精度与结构可靠性。

下游应用的旺盛需求与产能扩张共振,推动薄膜沉积设备市场保持高景气；同时,芯片制程向先进节点演进、存储芯片向高层数三维堆叠升级,进一步拉动三维集成设备需求高速增长,为行业打开新的增长空间。

我国作为全球最大的半导体消费市场,终端芯片需求持续旺盛,叠加国内半导体产业链配套能力不断完善,共同驱动半导体设备产业规模与技术水平稳步提升。

据SEMI统计,2025年中国大陆半导体设备市场连续第六年位居全球首位,本土晶圆厂扩产与产能升级形成持续设备采购动能,显著拉动薄膜沉积、三维集成等关键设备的本土需求,推动国内设备市场规模持续增长。

从全球竞争格局看,薄膜沉积设备与三维集成设备领域仍由国际厂商主导,行业集中度高、海外龙头占据主要市场份额。

当前我国高端半导体设备自给率仍处低位,国产替代空间巨大,叠加本土晶圆产能持续扩张、供应链自主可控战略深入推进,国内设备企业拥有持续的验证机会与市场需求支撑。

近年来,国内半导体设备企业已实现从无到有、从弱到强的关键突破,技术能力、产品矩阵与客户验证进度快速提升,产业生态与制造体系日趋完善。

尽管在部分核心技术、工艺积累上与海外巨头尚存阶段性差距,但在庞大本土市场、政策支持与产业链协同加持下,国内半导体设备厂商成长空间充足、市场空间广阔,正迎来加速突破、份额提升的黄金发展期。

(二)公司发展战略公司长期专注于半导体设备领域,坚定实施自主研发、自主创新战略,紧扣集成电路芯片制造产线需求,持续深耕薄膜沉积设备与工艺技术研发。

同时,顺应后摩尔时代技术演进趋势,积极布局三维集成等前沿技术领域,不断提升核心竞争力与长期成长潜力。

目前,公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜设备产品系列,以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品系列,为集成电路芯片制造产线、三维集成领域提供专用的、高端的半导体设备。

未来,公司将继续紧抓国内半导体产业快速发展的市场机遇,紧密贴合国内半导体制造产业的实际需求与产线迭代升级节奏,坚持以技术创新与产品升级为核心驱动力,持续加大研发投入,巩固并提升现有产品的核心竞争力。

依托公司在技术储备、人才团队、行业经验及售后服务体系等方面的综合优势,稳步提升现有设备产品的市场份额与行业地位。

同时,紧跟行业技术发展趋势与市场迭代需求,持续提升公司设备的技术指标与先进性,不断丰富产品矩阵、拓宽设备品类,进一步增强公司整体盈利能力与可持续发展能力。

(三)经营计划公司以建设世界领先的高端半导体设备公司为发展战略目标,紧密围绕国家重大技术创新需求、紧跟产业趋势,提前布局产品研发,并持续保持高强度研发投入,持续强化人才队伍建设,深化产学研合作和产业协同发展,不断巩固并提升公司行业领先地位。

具体如下：1、围绕国家半导体产业战略、紧抓客户技术创新需求,提前布局研发公司秉承“紧跟产业趋势、产品提前布局”的研发策略,聚焦客户技术创新需求,协同下游客户规划未来行业技术发展路线,前瞻性布局研发工作,在现有薄膜沉积设备与三维集成设备领域,持续深化产品技术覆盖、完善产品谱系；此外,公司将依托现有技术积淀,积极开展横向拓展布局。

（1）强化薄膜沉积设备的技术创新优势与市场领先地位基于公司优势产品薄膜沉积设备,公司将紧跟半导体制程发展节奏和后摩尔时代技术方向,以CVD细分赛道为核心,持续推进产品创新与工艺迭代,系统布局前瞻性技术研发,加速推动新产品、新工艺的研发及产业化,拓展设备在前沿技术领域多应用场景的覆盖。

（2）丰富三维集成设备产品矩阵,形成平台化服务能力公司将以三维集成的技术趋势为导向,持续完善、丰富三维集成领域的设备产品矩阵,并不断迭代、提升先进键合设备、配套量检测设备等核心产品的技术水平。

同时,建立三维集成设备专项技术平台,为下游客户技术落地提供全流程技术支撑与方案设计,形成从设备供应到技术解决方案的一体化服务能力,进一步提升市场份额。

（3）稳步推进横向产业链延伸,建立世界领先的高端半导体设备公司公司以薄膜沉积设备与三维集成设备领域的既有技术积淀、产品矩阵及客户资源为基础,通过前瞻性研发和适时的横向产业整合,稳步推进高端半导体设备领域的横向拓展与多元业务布局,着力构建覆盖核心应用场景、辐射产业链关键环节的高端半导体设备公司,围绕公司聚焦领域提升整体解决方案能力,持续强化公司在半导体设备行业的综合竞争力。

2、夯实国内市场领先地位,稳步开拓国际市场公司将立足核心技术、产品性能、定制化服务等方面的优势,持续紧跟产业技术发展趋势,深化产品布局,强化在国内细分领域的领先地位,稳步提升市场份额。

在巩固国内市场的基础上,公司将积极关注国际市场需求趋势,逐步推进海外市场布局。

通过参与国际行业展会、建立海外合作渠道等方式展示产品技术实力,针对性开拓适配海外市场,拓宽公司长期增长空间。

3、多措并举引进培养优秀人才,持续加强产学研合作公司结合发展战略规划和实际业务需求,不断加强人才队伍建设,确保在国际前沿技术和先进管理理念等方面保持竞争力。

公司将不断完善薪酬政策和长效的股权激励机制,持续引进高层次人才的同时积极自主培养科研人才,通过完善的研发实践、管理实践及务实高效的培训体系,积极培养内部技术与管理人才,构建坚实的人才梯队。

公司秉持校企协同发展理念,将持续加强高校合作互动,通过共建产学研协同创新平台、实验室项目合作、设立奖学金、多学科联合培养硕士/博士等方式,推动高端科研合作及专业人才储备,为行业提供创新动力。

公司将继续积极推动行业联动与交流合作,通过深度参与国际半导体展会及行业大会,共同探讨前沿趋势,携手推动产业创新。

4、继续坚持上下游协同创新,促进产业协同发展公司将立足国内半导体制造产业实际需求与产线迭代规律,继续深化与客户协同研发的机制,精准锚定其特定工艺材料、特定制造工序高端半导体设备的核心要求,系统性规划工艺优化和迭代方向,专项开发定制化、高适配度的解决方案,支撑下游芯片制造厂技术升级和快速扩产。

公司将持续通过战略协作等方式与供应商建立深度绑定的研发协作关系。

在新产品、新技术开发规划中,将建立常态化、高效化的研发互动机制,确保部件产品的先进性能充分匹配公司技术研发要求,持续夯实稳定、互信、共赢的长期合作关系。

公司将持续积极承担实施国家重大专项/课题,不断整合产业链优质资源开展联合技术攻坚,逐步构建覆盖研发、生产、销售全环节的协同研发生态体系,助力产业链整体技术水平稳步提升。

第四节公司治理、环境和社会一、公司治理相关情况说明公司根据《公司法》《证券法》《上市规则》等法律法规、规范性文件的要求及《公司章程》的规定,制定了股东会、董事会的议事规则等相关内部治理制度,确定了股东会、董事会、管理层的运行机制并合法、有效运作。

公司董事会下设审计委员会、提名委员会、薪酬与考核委员会、战略规划委员会,为董事会就重大事项的决策提供咨询及建议,以保证董事会议事决策的专业化和高效化。

公司治理与法律、行政法规和中国证监会关于上市公司治理的规定是否存在重大差异；如有重大二、公司控股股东、实际控制人在保证公司资产、人员、财务、机构、业务等方面独立性的具体控股股东、实际控制人及其控制的其他单位从事与公司相同或者相近业务的情况,以及同业竞争五、董事和高级管理人员的情况(一)现任及报告期内离任董事、高级管理人员和核心技术人员持股变动及薪酬情况报告期内是否在年度内股从公司获任期起始任期终止年初持股年末持股公司关姓名职务性别年龄份增减变增减变动原因得的税前日期日期数数联方获动量薪酬总额取薪酬（万元）吕光泉董事长男2021年12027年1不适用否601,095,2001,095,2000788.20月8日月4日2025年92027年1袁训董事男54000不适用0否月29日月4日张昊玳董事女2025年92027年1不适用否380000月29日月4日2023年52025年9杨卓董事（离任）男40000不适用0否月26日月12日杨柳董事（离任）男2021年122025年9不适用否460000月9日月12日张憬怡董事女2026年12027年1不适用否410000月26日月4日齐雷董事（离任）男2021年12026年1不适用否470000月8日月9日尹志尧董事男2021年12027年1不适用是820000月8日月4日董事2024年12027年1公司2022年限制月5日月4日性股票激励计划刘静女5560,23690,47230,236203.98否2023年12027年1第二个归属期归总经理月19日月4日属及个人减持2024年12027年1刘胜独立董事男63000不适用0否月5日月4日黄宏彬独立董事男2021年12027年1不适用否5400020.00月8日月4日2021年12027年1赵国庆独立董事男46000不适用20.00否月8日月4日副总经理2023年12027年1公司2022年限制月19日月4日性股票激励计划陈新益男4218,90430,60811,704287.00否2023年10第二个归属期归核心技术人员不适用月27日属及个人减持副总经理2023年12027年1公司2022年限制月19日月4日性股票激励计划宁建平女4216,42828,75212,324206.48否2021年3第二个归属期归核心技术人员不适用月10日属及个人减持副总经理2024年12027年1公司2022年限制月5日月4日性股票激励计划牛新平男4816,42824,8568,428239.60否2024年10第二个归属期归核心技术人员不适用月28日属及个人减持公司2022年限制2024年12027年1性股票激励计划许龙旭副总经理男4419,71429,5719,857142.98否月5日月4日第二个归属期归属及个人减持2024年12027年1公司2022年限制副总经理月5日月4日性股票激励计划赵曦女4228,69648,29019,594158.79否2021年12027年1第二个归属期归董事会秘书月8日月4日属及个人减持公司2022年限制2023年12027年1性股票激励计划杨小强财务负责人男454,9718,6623,691100.82否月19日月4日第二个归属期归属及个人减持公司2023年限制性股票激励计划2023年10孟亮核心技术人员男41不适用04,3004,300首次授予部分第322.37否月27日一个归属期归属及个人减持公司2023年限制性股票激励计划杨家岭核心技术人员男2024年10不适用首次授予部分第否39023,70423,704308.59月28日一个归属期归属及个人减持2022年限制性股票激励计划第二个归属期归属及2024年122023年限制性股邓浩核心技术人员男46不适用5000-500208.07否月13日票激励计划首次授予部分第一个归属期归属及个人减持2024年12郭万里核心技术人员男43不适用000不适用211.38否月13日合计/////1,261,0771,384,415123,338/3,218.26/姓名主要工作经历男,1965年出生,美国加州大学圣地亚哥分校博士。

1994年8月至2014年8月,先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美吕光泉国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部,历任副研究员、工程技术副总裁等职。

2014年9月至今就职于公司,曾任技术总监、总经理、董事,现任公司董事长。

男,1972年出生,毕业于北京大学,硕士研究生学历。

曾在北京华虹NEC集成电路设计有限公司、意法爱立信半导体（北京）有限公司、袁训微软移动（中国）投资有限公司工作,2015年加入华芯投资管理有限责任公司,历任投资二部高级经理,战略发展部副总经理、总经理,投资四部总经理,投资四部兼投资三部总经理,现任业务三部总经理。

2025年9月至今,任公司董事。

主管,华芯投资管理有限责任公司投资三部项目经理、高级经理,现任业务三部资深副经理。

2025年9月至今,任公司董事。

女,1984年生,毕业于伦敦政治经济学院,风险与随机过程专业,硕士研究生学位。

2008年11月至2010月3月,任瑞信方正证券有限责任公司投资银行企业融资部分析师,2010年4月至2011年2月,任中德证券有限责任公司投资银行大项目发起部分析师,2011年3月张憬怡至2012年1月,任瑞士信贷集团（香港）投资银行企业融资部分析师,2012年2月至2016年4月,任中央汇金投资有限责任公司证券机构管理部一级经理,2016年4月至2017年12月,任安邦保险海外投资部副总裁,2017年12月至今,国投创业投资管理有限公司先进制造投资部投资总监。

2026年1月至今,任公司董事。

男,1944年出生,中国科学技术大学学士,加州大学洛杉矶分校博士。

1984年至1986年,就职于英特尔中心技术开发部,担任工艺工程师；1986年至1991年,就职于泛林半导体,历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年,就职于应用材料,历任等离尹志尧子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官；2004年至今,担任中微公司董事长及总经理。

2015年12月至2017年9月,曾任拓荆有限董事；2021年1月至今,任公司董事。

女,1971年出生,毕业于东北财经大学会计学专业,具有中国注册会计师资格、高级会计师职称。

1993年5月至2010年4月,先后任职刘静于沈阳纺织厂、沈阳北泰方向集团有限公司下属公司、辽宁中天华程科技有限公司,历任财务主管、财务总监、副总经理等职。

2010年4月至今就职于公司,历任公司副总经理、财务负责人等职,现任公司董事、总经理。

男,1963年出生,美国斯坦福大学机械工程博士,中国科学院院士。

2001年5月至2024年12月,任华中科技大学教授；2014年4月至刘胜2024年12月,任武汉大学动力与机械学院院长；2017年1月至今,任武汉大学工业科学研究院执行院长；2025年7月至今,任武汉大学集成电路学院院长。

2024年1月至今,任公司独立董事。

男,1971年出生,上海财经大学工商管理硕士。

1994年7月至今,先后任职于上海万国证券公司、上海证券交易所、金浦产业投资基金黄宏彬管理有限公司、京通智汇资产管理有限公司、金圆国际有限公司、上海斐君投资管理中心（有限合伙）,历任稽核总部经理、创始合伙人等职。

2021年1月至今,任公司独立董事。

男,1979年出生,南京大学会计学博士,具有中国注册会计师资格。

2002年8月至今,先后任职于南京市江宁地方税务局、国家税务总赵国庆局税务干部学院、中汇江苏税务师事务所有限公司、上海易宏人力资源服务有限公司、中汇睿远（上海）税务师事务所有限公司,历任副科长、业务总监、合伙人等职。

2021年1月至今,任公司独立董事。

男,1983年出生,美国马里兰大学帕克分校材料科学与工程专业博士。

自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉陈新益积的工艺、应用以及设备的研发工作。

2020年10月至今就职于公司,历任公司高级总监、ALD事业部总经理,2023年1月至今,任公司副总经理。

女,1983年出生,贵州大学材料科学与工程专业硕士,大连理工大学材料与化工专业博士在读。

2010年7月开始就职于公司,历任工艺宁建平工程师、工艺经理、产品部部长、产品部总监、产品部高级总监、PECVD事业部总经理职务,2023年1月至今,任公司副总经理。

男,1978年出生,西安交通大学材料科学与工程硕士,清华大学电子信息专业博士在读。

2004年5月至2020年10月,任职于泛林半导牛新平体设备技术有限公司,历任资深工程师、经理、资深经理等职务。

2020年10月至今就职于公司,现任拓荆北京总经理,2024年1月至今,任公司副总经理。

许龙旭男,1981年出生,毕业于沈阳农业大学计算机科学与技术专业。

2005年7月至2016年6月,先后就职于乐金电子（沈阳）有限公司、沈阳同方多媒体科技有限公司,历任战略采购课长、采购经理等职。

2016年9月至今就职于公司,曾任公司制造中心及采购中心高级总监,2024年1月至今,任公司副总经理。

女,1983年出生,辽宁大学国际法学硕士,清华大学五道口金融学院EMBA在读,具有中国注册会计师资格、上海证券交易所董事会秘赵曦书资格（主板、科创板）、法律职业资格、（准）保荐代表人资格。

2009年3月至2019年11月,先后任职于北京金诚同达律师事务所、中信证券股份有限公司、网信证券有限责任公司,历任专职律师、高级业务总监等职务。

2019年12月至今就职于公司,现任公司副总经理、董事会秘书。

男,1980年出生,毕业于西安交通大学会计学专业,具备中国注册会计师资格、高级会计师职称。

2005年8月至2018年6月,先后任职杨小强于海信（北京）电器有限公司、沈阳东软医疗系统有限公司、沈阳东软智睿放疗技术有限公司,历任财务主管、财务经理等职。

2018年7月至今就职于公司,曾任公司财务部资深部长,现任公司财务负责人。

孟亮男,1984年出生,美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校核与等离子体工程专业博士。

自2013年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜沉积设备以及应用的研发工作,2023年1月至今就职于公司,现任拓荆创益CVD机械设计部资深总监。

杨家岭男,1987年出生,美国亚利桑那州立大学物理学博士。

自2014年起,在全球知名的半导体设备公司长期从事半导体设备相关的研发与管理工作。

2023年7月至今就职于公司,现任拓荆创益Gap-fill产品部副总裁。

邓浩男,1979年出生,新加坡南洋理工大学硕士。

自2001年起,先后就职于国际、国内领先晶圆厂的技术和研发部门,从事高端薄膜沉积设备和工艺的研发和团队管理工作。

2022年1月至今就职于公司,现任拓荆上海产品与技术规划部高级总监。

男,1983年出生,武汉理工大学材料学硕士。

自2008年起,在国内知名半导体公司长期从事半导体工艺开发、设备应用及研发工作。

2023郭万里年10月至今就职于拓荆键科,现任拓荆键科总经理。

(二)现任及报告期内离任董事和高级管理人员的任职情况1、在股东单位任职情况任职人员姓名股东单位名称在股东单位担任的职务任期起始日期任期终止日期尹志尧中微公司董事长、总经理2004年8月/袁训中微公司董事2025年9月/杨卓（离任）中微公司董事2023年5月2025年9月沈阳盛腾执行事务合伙人2013年10月/沈阳盛全执行事务合伙人2013年10月/刘静芯鑫和执行事务合伙人2019年10月/芯鑫龙执行事务合伙人2019年10月/芯鑫阳执行事务合伙人2019年10月/在股东单位任无职情况的说明2、在其他单位任职情况任职人在其他单位担任其他单位名称任期起始日期任期终止日期员姓名的职务华芯投资管理有限责任公司业务三部总经理2015年1月/华芯投资管理有限责任公司监事2022年4月/通富微电子股份有限公司董事2025年8月/长鑫新桥存储技术有限公司董事2023年10月/袁训长鑫集电（北京）存储技术有限董事2023年8月/公司北方华创科技集团股份有限公司董事2025年9月/中微半导体设备（上海）股份有董事2025年9月/限公司业务三部资深副华芯投资管理有限责任公司2016年6月/经理杭州长川科技股份有限公司董事2025年9月/天水华天科技股份有限公司董事2025年4月/江苏鑫华半导体科技股份有限公董事2024年8月/张昊玳司安徽亚格盛电子新材料股份有限董事2024年1月2025年10月公司江苏先科半导体新材料有限公司董事2022年12月/通富微电子股份有限公司董事2025年8月/安徽聚合微电子有限公司董事2025年12月先进制造投资部国投创业投资管理有限公司2017年12月/投资总监张憬怡合肥昱驰真空技术有限公司董事2024年4月/深圳中科飞测技股份有限公司董事2025年12月/北京泽石科技有限公司监事2021年4月/中微科技投资管理（上海）有限董事长2021年1月/尹志尧公司南昌中微半导体设备有限公司董事长2017年12月/中微半导体设备（厦门）有限公董事2015年12月/司中微惠创科技（上海）有限公司董事2014年12月/芯汇康生命科学（上海）有限公董事2021年9月/司睿励科学仪器（上海）有限公司董事长2021年2月/中微半导体设备（广州）有限公董事长2023年8月/司中微汇链科技(上海)有限公司董事2023年4月/中微半导体（上海）有限公司董事长2020年6月/超微半导体设备（上海）有限公董事2024年11月/司中微半导体设备（四川）有限公董事长2025年2月/司AdvancedMicro-Fabrication董事2006年11月EquipmentInternationalPte.Ltd.AdvancedMicro-Fabrication董事2007年10月EquipmentKoreaLtd杭州众硅电子科技有限公司董事2025年9月/苏州索雷尔科技有限公司董事2025年12月/海宁展阳科技合伙企业（有限合执行事务合伙人2020年9月2026年2月刘静伙）上海稷以科技有限公司董事2025年7月/工业科学研究院武汉大学2017年1月/执行院长刘胜集成电路学院院武汉大学2025年7月/长执行董事兼总经上海斐昱文武管理咨询有限公司2015年3月/理天合光能股份有限公司独立董事2020年12月/上海核工程研究设计院股份有限董事2023年6月/公司黄宏彬德马科技集团股份有限公司董事2017年1月2025年10月上海斐君投资管理中心（有限合执行事务合伙人2015年1月/伙）委派代表上海斐君锆晟投资管理合伙企业执行事务合伙人2015年2月/（有限合伙）委派代表浙江瑞安农村商业银行股份有限独立董事2024年10月/公司南岳电控（衡阳）工业技术股份独立董事2021年6月2026年4月有限公司常州武进中瑞电子科技股份有限赵国庆独立董事2024年6月/公司广州宏晟光电科技股份有限公司独立董事2024年12月2025年10月九方智投控股有限公司独立非执行董事2023年2月/中汇睿远（上海）税务师事务所合伙人2022年8月/有限公司华芯投资管理有限责任公司投资五部总经理2023年3月/杨卓（离北方华创科技集团股份有限公司董事2023年5月2025年8月任）上海硅产业集团股份有限公司董事2023年6月/通富微电子股份有限公司董事2024年1月2025年8月西安奕斯伟材料科技股份有限公董事2023年7月/司宁波南大光电材料有限公司董事2023年11月/华润微电子有限公司董事2025年9月/中微半导体设备（上海）股份有董事2023年5月2025年9月限公司中芯国际集成电路制造(深圳)有董事2025年11月/限公司长电科技汽车电子(上海)有限公董事2026年2月/司华芯投资管理有限责任公司资深副经理2021年4月/烟台德邦科技股份有限公司董事2022年8月2025年8月通富微电子股份有限公司董事2024年1月2025年7月杨柳（离上海硅产业集团股份有限公司董事2024年8月2025年8月任）太原晋科硅材料技术有限公司董事2024年10月2025年9月天水华天科技股份有限公司董事2024年8月2025年4月北方华创科技集团股份有限公司董事2024年5月2025年8月国投创业投资管理有限公司董事总经理2016年12月/江苏长虹智能装备股份有限公司董事2018年6月2026年2月齐雷（离沈阳富创精密设备股份有限公司董事2022年9月2025年12月任）苏州焜原光电有限公司董事2020年10月/上海矽睿科技股份有限公司董事2018年10月/武汉开目信息技术股份有限公司董事2022年12月/在其他无职情况的说明(三)董事、高级管理人员和核心技术人员薪酬情况公司董事会薪酬与考核委员会负责制定董事和高级管理人员的薪酬方案,对薪酬管理制度执行情况进行监督。

公董事、高级管理人员薪酬的决策程序司董事的薪酬方案由股东会审议通过后执行,高级管理人员的薪酬方案由董事会审议通过后执行。

董事在董事会讨论本人薪酬事项时是是否回避董事会薪酬与考核委员会审议通过《关于公司2025年度薪酬与考核委员会或独立董事专门会董事、监事薪酬方案的议案》,薪酬与考核委员会全体委议关于董事、高级管理人员薪酬事项发员对董事薪酬方案回避表决,直接提交董事会审议；薪酬表建议的具体情况与考核委员会审议通过《关于公司2025年度高级管理人员薪酬方案的议案》。

综合考虑公司实际经营发展情况及行业、地区的薪酬水平制定董事、高级管理人员薪酬方案。

公司董事、高级管理董事、高级管理人员薪酬确定依据人员的薪酬均严格按照《拓荆科技股份有限公司薪酬管理制度》执行。

董事和高级管理人员薪酬的实际支付董事、高级管理人员薪酬的实际支付情况与年报披露的数情况据相符。

报告期末全体董事和高级管理人员实际获得的薪酬合计2,167.85报告期末核心技术人员实际获得的薪酬合计1,783.492025年度,独立董事领取的独立董事津贴不适用考核情况；在公司领取薪酬的非独立董事和高级管理人员依据在报告期末全体董事和高级管理人员实公司承担的具体管理职能,按公司相关绩效与薪酬考核管际获得薪酬的考核依据和完成情况理制度领取薪酬。

绩效考核工作按公司绩效考核规定,有效执行并完成。

报告期末全体董事和高级管理人员实2025年度,独立董事领取的独立董事津贴不适用相关规定；在公司领取薪酬的非独立董事和高级管理人员薪酬暂际获得薪酬的递延支付安排无递延支付安排。

际获得薪酬的止付追索情况(四)公司董事、高级管理人员和核心技术人员变动情况姓名担任的职务变动情形变动原因杨卓董事离任工作调动杨柳董事离任工作调动袁训董事选举工作调动张昊玳董事选举工作调动齐雷董事离任工作调动张憬怡董事选举工作调动。